Аппарат ультразвукового лифтинга HIFU-004 предназначен для выполнения неинвазивного SMAS-лифтинга с использованием технологии воздействия ультразвуковыми волнами с высокой энергией и оснащен дополнительными функциями радиолифтинга и светотерапии.
Технология HIFU обеспечивает проникновение ультразвуковых волн (УЗ волн) высокой интенсивности через верхние слои кожи до уровня SMAS (приблизительно на 4-5мм) и стимулирует замещение существующих коллагеновых волокон новыми. Под воздействием коротких УЗ импульсов, имеющиеся волокна коллагена на отдельных участках (в точках коагуляции) нагреваются до температуры 65-70°C, при которой происходит сокращение длины волокон. В дальнейшем, часть волокон разрушается с выведением продуктов распада без нарушения поверхности кожи. На месте старых волокон происходит выработка новых за счет стимуляции естественных процессов в организме.
SMAS - это поверхностная мускульно-апоневротическая система (фасция), которая покрывает мышечную ткань и содержит большое количество волокон коллагена. Она же обеспечивает четкость контуров лица и тела.
Таким образом, дозировано и точно воздействуя ультразвуком на слой SMAS, можно без оперативного вмешательства, побочных эффектов и реабилитации добиться долговременного эффекта лифтинга при минимальных затратах на проведение процедуры.
Достоинствами неинвазивного SMAS-лифинга являются:
- возможность выбора глубины воздействия и выполнение многоуровневого лифтинга;
- технология HIFU позволяет корректировать все участки лица;
- процедура не вызывает болезненных ощущений, комфортна и имеет высокую эффективность;
- после нескольких сеансов можно легко вернуться к привычному образу жизни;
- после процедуры нет шрамов или рубцов на лице;
- уже первый сеанс обеспечивает значительный эффект;
- эффект даже после одной процедуры сохраняется до 3 лет;
- технология совместима с другими методами аппаратной косметологии;
- отсутствуют сезонные ограничения для выполнения процедуры;
- УЗ-лифтинг безопасен для организма.
Немаловажной особенностью аппарата HIFU-004 является возможность оказания комплексного воздействия, благодаря использованию в работе RF-системы (волн радиочастотного диапазона), которые позволяют расширить сферу воздействия и системы светотерапии красным светом (650нм), что обеспечивает дополнительную стимуляцию обменных процессов в различных слоях кожи.
Для устранения резкого контраста в состоянии кожи, аппарат позволяет проводить сеансы не только на лице, но и на шее. Процедуры могут проводиться не только для устранения имеющихся проблем, но и для их профилактики.
Методика УЗ-лифтинга с аппаратом HIFU-004 практически не имеет недостатков, а отсутствие необходимости реабилитации и побочных эффектов обеспечили ей статус "технологии выходного дня". Всего за один сеанс можно выполнить диагностику, омоложение и устранение возрастных проблем.
При этом, на протяжении нескольких месяцев кожа будет становиться все более подтянутой и молодой. При необходимости, повторный сеанс проводить 1 раз в течении 2-3 лет.
Аппарат HIFU-004 позволяет выполнять:
- подъем и подтяжку кожи щек;
- выполнять подтяжку кожи на лбу и поднимать линию бровей;
- улучшать упругость кожи и формировать контуры лица, четче формировать линию челюсти и уменьшать "линию марионетки";
- освежать цвет кожи лица и возвращать ей свежесть;
- устранять мимические и возрастные морщины возле глаз, рта, и т. д.
Следует помнить о некоторых противопоказаниях для методики УЗ-лифтинга:
- беременность и время лактации;
- наличие кардиостимуляторов;
- наличие в зоне воздействия металлических имплантатов, за исключением зубных коронок или зубных имплантов;
- эпилепсия и нервно-психические заболевания;
- гнойные воспаления на коже;
- очаги острых и хронических инфекций;
- эндокринные заболевания (сахарный диабет, заболевания щитовидной железы и другие).
- доброкачественные и злокачественные новообразования;
- системные заболевания соединительных тканей (склеродермия, красная волчанка и другие).
Технические характеристики аппарата HIFU-004
Параметры режима HIFU | |
Интенсивность, Дж/см2 | 5 |
Частота импульсов, МГц | 3 |
Площадь обработки, см2 | 4 |
Глубина воздействия, мм | |
Параметры режима RF | |
Интенсивность, Дж/см2 | 4 |
Площадь обработки, см2 | 3 |
Частота импульсов, МГц | 2 |
Глубина воздействия, мм | 3 |
Параметры режима LED | |
Длина волны, нм | 650 |
Интенсивность, мКд | 5000 |
Остальные характеристики | |
Напряжение питания | 90-240В 50/60Гц |
Потребляемая мощность, Вт | 36 |
Режим излучения энергии | по команде/сенсорный |